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日本TEAC系列称重传感器，TEAC TT-XNⅡ/TT-XNⅡ(G)-(100N,500N)晶体生长负荷计。
描述
晶体生长载荷计是一种载荷传感器，它将生长的单晶的重量转换为电信号，用于控制直径。
晶体生长称重传感器由负载敏感单元（称重传感器）、放大单元（放大器）、将旋转信号传输到外部的滑环以及容纳它们的容器组成。
特征
比以往更多的过载保护
可测量拉起大直径锭时接触种子的微小负载的二段（二输出）型
* 也可提供一段（一输出）型。由于差分输出而抗噪声
负载灵敏度部分使用具有非线性、滞后和 0.02% RO 重复性的高性能、高分辨率称重传感器。
温度特性在0.03% RO/10°C（零点变化+灵敏度变化）下非常稳定。
获得专利
日本专利第 5679120、5776899 号
中国专利号ZL201110291046.X、ZL201110291066.7
韩国专利第 1307997 号、第 1309318 号
| 模型 | 集装箱结构 | 额定容量 (N) |
|---|---|---|
| TT-XNⅡ | 常压型 | 100N-500N * |
| TT-XNⅡ(G) | 常压气体吹扫型 | 100N-500N * |
| 模型 | TT-XNⅡ, TT-XNⅡ (G) |
|---|---|
| 允许过载 | 600N |
| 直线度 | 0.02% 反渗透 (100N) 0.05% 反渗透 (500N) |
| 滞后 | 0.02% 反渗透 (100N) 0.05% 反渗透 (500N) |
| 重复性 | 0.02% 反渗透 (100N) 0.05% 反渗透 (500N) |
| 温度特性 | 0.03%反渗透/10℃ |
| 调零范围 | 大约 ± 25% RO（在内部放大器的板上调整） |
| 最低分辨率 | 0.001% RO（可检测的变化，不包括稳定性） |
| 滑环转动噪音 | 50 μVp-p 或更低（100 rpm 或更低） |
| 滑环寿命 | 2 x 10 7转 |
| 反应能力 | 约 1Hz / -3dB |
| 过载保护 | 在重力方向以120%左右的负载保护称重传感器（带过载保护机构） 在与 重力方向相反的方向（推动方向）， 负载传递元件与称重传感器分离，保护负载细胞。 |
| 电源 | 15VDC ± 10% 消耗电流 300mA 以下 |
| 输出 | 100N 称重传感器：0 至约 10V DC 500N 称重传感器：0 至约 10V DC |
| 工作温度限制 | 0℃～50℃ |
| 集装箱结构 | 常压型、常压气体吹扫型（G） |
| 容器材料 | SUS304 |
| 体重 | 约8kg |
